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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.25 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 88 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NP34N055IHE-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 55V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP34N055IHE-E1-AY | RENESAS | NP34N055IHE-E1-AY |
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| NP34N055IHE-E2 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252 |
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| NP34N055IHE-E2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252 |
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| NP34N055ILE | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-252AA |
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| NP34N055ILE-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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