NP34N055IHE

更新时间： 2024-02-24 16:05:34

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	70K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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NP34N055IHE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.25
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	88 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NP34N055IHE 数据手册

NP34N055HHE, NP34N055IHE

TYPICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

140

120

100

25 50 75 100 125 150 175 200

- Case Temperature - ˚C

25 50 75 100 125 150 175 200

- Case Temperature - ˚C

Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY

DERATING FACTOR

Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

★

120

100

1000

100

100 mJ

72 mJ

D(pulse)

D(DC)

AS = 10 A

27 A

34 A

11 mJ

25 50

= 25˚C

Single Pulse

0.1

100

125

150

175

DS - Drain to Source Voltage - V

Starting T^ch- Starting Channel Temperature - ˚C

Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1000

Rth(ch-A) = 125 ˚C/W

Rth(ch-C) = 1.70 ˚C/W

100

0.1

0.01

Single Pulse

= 25˚C

10 µ

1 m

10 m

100 m

100

1000

100 µ

PW - Pulse Width - s

Data Sheet D14153EJ3V0DS

1 234 5 6 7 8

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与NP34N055IHE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP34N055IHE-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 55V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP34N055IHE-E1-AY	RENESAS	NP34N055IHE-E1-AY	获取价格
NP34N055IHE-E2	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252	获取价格
NP34N055IHE-E2-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252	获取价格
NP34N055ILE	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 34A I(D) \| TO-252AA	获取价格
NP34N055ILE-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格