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NP20P04SLG-E2-AY

更新时间： 2024-02-10 22:29:36

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	195K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.038ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, MP-3ZK, 3 PIN

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NP20P04SLG-E2-AY 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP20P04SLG-E2-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP20P04SLG

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The NP20P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP20P04SLG-E1-AY ^Note

NP20P04SLG-E2-AY ^Note

Tape 2500 p/reel

TO-252 (MP-3ZK)

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)

FEATURES

(TO-252)

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 25 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −10 A)

R^DS(on)2= 38 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)

• Low input capacitance

C^iss= 1650 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

−40

m20

m60

Total Power Dissipation (TC = 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.2

Tch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = −20 V, RG = 25 Ω, VGS = −20 → 0 V

<R>

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

3.9

°C/W

125

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D19075EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published March 2008 NS

Printed in Japan

2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP20P04SLG-E2-AYNote	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
NP20P06SLG	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP20P06SLG_15	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
NP20P06SLG-E1-AY	NEC	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP20P06SLG-E1-AY	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP20P06SLG-E1-AYNote	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格

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