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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 28 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.064 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP20P06SLG-E2-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| NP20P06YLG | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive |
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| NP2100SAMCT3G | ONSEMI |
获取价格 |
50A, Ultra Low Capacitance TSPD |
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| NP2100SAT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional |
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| NP2100SBMCT3G | ONSEMI |
获取价格 |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD |
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| NP2100SBT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional |
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| NP2100SCMCT3G | ONSEMI |
获取价格 |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD |
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| NP2100SCT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional |
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| NP2100SET3G | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON SURGE PROTECTOR |
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| NP210-320-0100-CC0 | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, PGA320, 320 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.05inch Row Spacing, Solder |
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