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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.34 | 雪崩能效等级（Eas）： | 28 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.064 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NP20P06SLG-E1-AYNote | RENESAS | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| NP20P06SLG-E2-AY | NEC | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| NP20P06SLG-E2-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP20P06SLG-E2-AYNote | RENESAS | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| NP20P06YLG | RENESAS | Power MOSFETs for Automotive |
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| NP2100SAMCT3G | ONSEMI | 50A, Ultra Low Capacitance TSPD |
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