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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NP180N04TUJ-E1-AY
NP180N04TUJ-E1-AY PDF预览

NP180N04TUJ-E1-AY

更新时间： 2024-11-05 12:20:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 220K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP180N04TUJ-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MP-25ZT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数：7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NP180N04TUJ-E1-AY 数据手册

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Preliminary Data Sheet  
R07DS0180EJ0100  
Rev.1.00  
NP180N04TUJ  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Description  
Dec 17, 2010  
The NP180N04TUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.  
Features  
•
Low on-state resistance  
⎯ RDS(on) = 1.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 90 A)  
Low Ciss: Ciss = 9500 pF TYP. (VDS = 25 V)  
Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified  
•
•
Ordering Information  
Part No.  
NP180N04TUJ -E1-AY ∗  
NP180N04TUJ -E2-AY ∗  
LEAD PLATING  
PACKING  
Tape 800 p/reel  
Package  
1
Pure Sn (Tin)  
TO-263-7pin, Taping (E1 type)  
TO-263-7pin, Taping (E2 type)  
1
Note: ∗1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)  
Item  
Symbol  
VDSS  
Ratings  
Unit  
V
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC) (TC = 25°C)  
40  
20  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
V
180  
A
1
Drain Current (pulse) ∗  
720  
A
Total Power Dissipation (TC = 25°C)  
Total Power Dissipation (TA = 25°C) ∗  
Channel Temperature  
348  
W
W
°C  
°C  
A
2
PT2  
1.8  
Tch  
175  
Storage Temperature  
Repetitive Avalanche Current ∗  
Repetitive Avalanche Energy ∗  
Tstg  
−55 to +175  
72  
3
IAR  
3
EAR  
518  
mJ  
Thermal Resistance  
Channel to Case Thermal Resistance  
Channel to Ambient Thermal Resistance ∗  
Rth(ch-C)  
Rth(ch-A)  
0.43  
83.3  
°C/W  
°C/W  
2
Notes: ∗1. TC = 25°C, PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%  
∗2. Mounted on glass epoxy substrate of 40 mm x 40 mm x 0.8 mmt  
∗3. Tch(peak) ≤ 150°C, RG = 25 Ω  
R07DS0180EJ0100 Rev.1.00  
Dec 17, 2010  
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