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NP15P06SLG-E1-AY

更新时间： 2024-01-18 15:03:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN

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NP15P06SLG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.32	雪崩能效等级（Eas）：	19 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.095 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP15P06SLG-E1-AY 数据手册

NP15P06SLG

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

120

100

25 50 75 100 125 150 175 200

T^C- Case Temperature - °C

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

-1000

-100

-10

D(pulse)

D(DC)

-1

-0.1

= 25°C

Single Pulse

-0.01

-0.1

-1

-10

-100

V^DS- Drain to Source Voltage - V

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1000

100

R^th(ch-A)= 125°C/Wi

^th(ch-C)= 5.0°C/Wi

0.1

Single Pulse

100 1000

0.01

100 μ

1 m

10 m

100 m

PW - Pulse Width - s

Data Sheet D19078EJ2V0DS

1 234 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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