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NP160N04TUG PDF预览

NP160N04TUG

更新时间： 2024-02-23 07:36:00
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 281K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP160N04TUG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.26
雪崩能效等级（Eas）：372 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.002 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：640 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NP160N04TUG 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
NP160N04TUG  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
DESCRIPTION  
The NP160N04TUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
LEAD PLATING  
Pure Sn (Tin)  
PACKING  
PACKAGE  
NP160N04TUG-E1-AY Note  
NP160N04TUG-E2-AY Note  
Tape 800 p/reel  
TO-263-7pin (MP-25ZT) typ. 1.5 g  
Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode).  
FEATURES  
(TO-263-7pin)  
• Super low on-state resistance  
RDS(on) = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A)  
• High Current Rating  
ID(DC) = 160 A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC) (TC = 25°C)  
Drain Current (pulse) Note1  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
40  
20  
V
V
160  
A
640  
A
Total Power Dissipation (TC = 25°C)  
Total Power Dissipation (TA = 25°C)  
Channel Temperature  
220  
W
W
°C  
°C  
mJ  
A
PT2  
1.8  
Tch  
175  
Storage Temperature  
Tstg  
−55 to +175  
372  
Single Avalanche Energy Note2  
Repetitive Avalanche Current Note3  
Repetitive Avalanche Energy Note3  
EAS  
IAR  
61  
EAR  
372  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%  
2. Starting Tch = 25°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH  
3. RG = 25 Ω, Tch(peak) ≤ 150°C  
THERMAL RESISTANCE  
Channel to Case Thermal Resistance  
Channel to Ambient Thermal Resistance  
Rth(ch-C)  
0.68  
83.3  
°C/W  
°C/W  
Rth(ch-A)  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D18754EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published May 2007 NS CP(K)  
Printed in Japan  
2007  
12345678

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