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NP160N04TUG-E1-AY

更新时间： 2024-01-16 17:57:36

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP160N04TUG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	MP-25ZT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.32	雪崩能效等级（Eas）：	372 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
最大漏极电流 (ID)：	160 A	最大漏源导通电阻：	0.002 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	220 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	640 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP160N04TUG-E1-AY 数据手册

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP160N04TUG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The NP160N04TUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP160N04TUG-E1-AY ^Note

NP160N04TUG-E2-AY ^Note

Tape 800 p/reel

TO-263-7pin (MP-25ZT) typ. 1.5 g

Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode).

FEATURES

(TO-263-7pin)

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A)

• High Current Rating

I^D(DC)= 160 A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

160

640

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

220

°C

PT2

1.8

Tch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

372

Single Avalanche Energy ^Note2

Repetitive Avalanche Current ^Note3

Repetitive Avalanche Energy ^Note3

EAS

I^AR

E^AR

372

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH

3. R^G= 25 Ω, Tch(peak) ≤ 150°C

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

0.68

83.3

°C/W

R^th(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18754EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published May 2007 NS CP(K)

Printed in Japan

2007

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP160N04TUG-E1-AYNote	RENESAS	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格
NP160N04TUG-E2-AY	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格
NP160N04TUG-E2-AYNote	RENESAS	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格
NP160N04TUJ	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP160N04TUJ-E1-AY	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
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