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NP160N04TUG-E1-AY PDF预览

NP160N04TUG-E1-AY

更新时间： 2024-01-27 06:34:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 281K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP160N04TUG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
零件包装代码：MP-25ZT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数：7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.32雪崩能效等级（Eas）：372 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.002 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G6
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：220 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：640 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NP160N04TUG-E1-AY 数据手册

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NP160N04TUG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
CHARACTERISTICS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1
UNIT  
μA  
nA  
V
IDSS  
VDS = 40 V, VGS = 0 V  
IGSS  
VGS(th)  
| yfs |  
RDS(on)  
Ciss  
VGS = 20 V, VDS = 0 V  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VDS = 5 V, ID = 40 A  
VGS = 10 V, ID = 80 A  
VDS = 25 V,  
100  
4.0  
Gate to Source Threshold Voltage  
Forward Transfer Admittance Note  
Drain to Source On-state Resistance Note  
Input Capacitance  
2.0  
28  
3.0  
76  
S
1.6  
2.0  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
10500 15750  
Output Capacitance  
Coss  
Crss  
VGS = 0 V,  
980  
630  
47  
1470  
1140  
110  
170  
190  
50  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-on Delay Time  
f = 1 MHz  
td(on)  
tr  
VDD = 20 V, ID = 80 A,  
VGS = 10 V,  
Rise Time  
67  
ns  
Turn-off Delay Time  
td(off)  
tf  
RG = 0 Ω  
94  
ns  
Fall Time  
19  
ns  
Total Gate Charge Note  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain Charge  
QG  
VDD = 32 V,  
178  
44  
270  
nC  
nC  
nC  
V
QGS  
QGD  
VF(S-D)  
trr  
VGS = 10 V,  
ID = 160 A  
61  
Body Diode Forward Voltage Note  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Note Pulsed test  
IF = 160 A, VGS = 0 V  
IF = 160 A, VGS = 0 V,  
di/dt = 100 A/μs  
0.92  
50  
1.5  
ns  
Qrr  
75  
nC  
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY  
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME  
D.U.T.  
L
D.U.T.  
V
V
GS  
RG  
= 25 Ω  
50 Ω  
R
L
90%  
90%  
V
GS  
Wave Form  
V
GS  
10%  
90%  
0
R
G
PG.  
VDD  
PG.  
GS = 20 → 0 V  
VDD  
V
DS  
V
DS  
V
0
GS  
BVDSS  
10% 10%  
V
DS  
Wave Form  
0
I
AS  
V
DS  
I
D
τ
t
d(on)  
t
r
t
d(off)  
tf  
V
DD  
t
on  
toff  
τ = 1  
μs  
Duty Cycle ≤ 1%  
Starting Tch  
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE  
D.U.T.  
= 2 mA  
I
G
RL  
50 Ω  
PG.  
VDD  
2
Data Sheet D18754EJ1V0DS  
12345678

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