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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | MP-25ZT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.32 | 雪崩能效等级（Eas）： | 372 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 160 A | 最大漏源导通电阻： | 0.002 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 220 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 640 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NP160N04TUG-E1-AYNote | RENESAS | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP160N04TUG-E2-AY | NEC | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP160N04TUG-E2-AYNote | RENESAS | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP160N04TUJ | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP160N04TUJ-E1-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP160N04TUJ-E2-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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