NP160N04TUG

更新时间： 2024-01-29 21:15:03

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	281K
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP160N04TUG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.26
雪崩能效等级（Eas）：	372 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	160 A	最大漏源导通电阻：	0.002 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	640 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP160N04TUG 数据手册

NP160N04TUG

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

120

100

250

200

150

100

75 100 125 150 175

T^C- Case Temperature - °C

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

10000

1000

100

D(pulse)

D(DC)

Tc = 25°C

Single Pulse

0.1

100

V^DS- Drain to Source Voltage – V

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

100

R^th(ch-A)= 83.3°C/Wi

R^th(ch-C)= 0.68°C/Wi

0.1

0.01

Single Pulse

100 1000

100 μ

1 m

10 m

100 m

PW - Pulse Width - s

Data Sheet D18754EJ1V0DS

1 234 5 6 7 8

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