是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 110 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 288 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NP110N04PUJ | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NP110N04PUJ-E1B-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NP110N04PUJ-E2B-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NP110N04PUK | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NP110N04PUK_15 | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NP110N04PUK-E1-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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