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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-25ZP | 包装说明： | LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 518 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 110 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 440 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NP110N04PUJ-E2B-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP110N04PUK | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP110N04PUK_15 | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP110N04PUK-E1-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP110N04PUK-E1-AY*1 | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP110N04PUK-E2-AY | RENESAS | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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