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NP110N04PUJ-E1B-AY PDF预览

NP110N04PUJ-E1B-AY

更新时间： 2024-02-06 09:48:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 311K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP110N04PUJ-E1B-AY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MP-25ZP包装说明：LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：518 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：110 A最大漏源导通电阻：0.0018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：440 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NP110N04PUJ-E1B-AY 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
NP110N04PUJ  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
DESCRIPTION  
The NP110N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
LEAD PLATING  
Pure Sn (Tin)  
PACKING  
PACKAGE  
NP110N04PUJ-E1B-AY Note  
NP110N04PUJ-E2B-AY Note  
Tape 1000 p/reel  
TO-263 (MP-25ZP) typ. 1.5 g  
Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)  
FEATURES  
• Super low on-state resistance  
RDS(on) = 1.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)  
• Low input capacitance  
(TO-263)  
Ciss = 9500 pF TYP.  
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC) (TC = 25°C)  
Drain Current (pulse) Note1  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
40  
20  
V
V
110  
A
440  
A
Total Power Dissipation (TC = 25°C)  
Total Power Dissipation (TA = 25°C)  
Channel Temperature  
288  
W
W
°C  
°C  
mJ  
A
PT2  
1.8  
Tch  
175  
Storage Temperature  
Tstg  
−55 to +175  
518  
Single Avalanche Energy Note2  
Repetitive Avalanche Current Note3  
Repetitive Avalanche Energy Note3  
EAS  
IAR  
72  
EAR  
518  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%  
2. Starting Tch = 25°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH  
3. Tch ≤ 150°C, RG = 25 Ω  
THERMAL RESISTANCE  
Channel to Case Thermal Resistance  
Rth(ch-C)  
0.52  
83.3  
°C/W  
°C/W  
Channel to Ambient Thermal Resistance  
Rth(ch-A)  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D19730EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 2009 NS  
Printed in Japan  
2009  
1234567...10

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