NP100P04PDG

更新时间： 2024-01-26 09:36:24

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP100P04PDG 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	550 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0051 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP100P04PDG 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP100P04PDG

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The NP100P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

<R> ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP100P04PDG-E1-AY ^Note

NP100P04PDG-E2-AY ^Note

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZP)

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)

FEATURES

(TO-263)

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 3.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A)

R^DS(on)2= 5.1 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)

• High current rating: I^D(DC)= m100 A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

−40

m20

m100

m300

200

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.8

T^ch

175

Storage Temperature

Tstg

−55 to +175

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

550

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = −30 V, RG = 25 Ω, VGS = −20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

0.75

83.3

°C/W

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18692EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published May 2007 NS CP(K)

Printed in Japan

2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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NP100P04PDG-E1-AY	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP100P04PDG-E1-AYNote	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格
NP100P04PDG-E2-AY	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP100P04PDG-E2-AYNote	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格
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