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NP100P06PDG-E1-AY

更新时间： 2024-01-22 08:00:46

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP100P06PDG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.26	雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0078 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP100P06PDG-E1-AY 数据手册

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP100P06PDG

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP100P06PDG-E1-AY ^Note

NP100P06PDG-E2-AY ^Note

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZP)

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)

FEATURES

(TO-263)

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A)

R^DS(on)2= 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)

• High current rating: I^D(DC)= m100 A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

−60

m20

m100

m300

200

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.8

T^ch

175

Storage Temperature

Tstg

−55 to +175

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

420

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = −30 V, RG = 25 Ω, VGS = −20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

0.75

83.3

°C/W

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

2007

Document No. D18693EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published May 2007 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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NP100P06PDG-E1-AYNote	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格
NP100P06PDG-E2-AY	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP100P06PDG-E2-AYNote	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格
NP100P06PLG	RENESAS	100A, 60V, 0.0078ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN	获取价格
NP100P06PLG	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP100P06PLG_15	RENESAS	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	获取价格

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