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NM28F010TR10

更新时间: 2024-02-27 08:31:22
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25页 844K
描述
x8 Flash EEPROM

NM28F010TR10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:NO类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

NM28F010TR10 数据手册

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