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NM29A040EM

更新时间： 2024-02-08 02:13:59

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美国国家半导体 - NSC		闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器时钟
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14页	220K
描述
4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM

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NM29A040EM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QCCJ, LDCC28,.5SQ	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	4 MHz	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	S-PQCC-J28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.43 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC28,.5SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

NM29A040EM 数据手册

February 1996

NM29A040/080

4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E PROM

General Description

Features

Single 5V 10% power supply

4 kbyte erase block

The NM29A040/080 are 4-Mbit and 8-Mbit Flash memories

designed with a MICROWIRE^TMserial interface. All of the

features of the device are designed to provide the most cost

effective solution for applications requiring low bandwidth

file storage. Examples of these applications include digital

answering machines and personal digital recorders (digital

audio) or FAX and digital scanners (digital imaging). The

Serial Flash requires only a single 5V power supply, has a

small erase block size (4 kbytes) and a low EMI serial inter-

face.

Organized as 128 (256) Blocks per 4-Mbit (8-Mbit)

Device

Ð 128 pages per block

Ð 32 bytes per page (256 bits)

MICROWIRE^TMcompatible interface

Low operating current (typical)

Ð 5 mA read current

Ð 15 mA write current

Ð 10 mA erase current

Ð 5 mA standby current

The NM29A040/080 have been designed to work seam-

lessly with National’s CompactRISC^TMfamily (e.g.

NSAM266) of processors. In this manner National is able to

provide the complete system solution to digital audio re-

cording (processor, CODEC, Flash memory, software) or

digital imaging.

100k write/erase cycle endurance

Offered in PLCC and SOIC packages

Block Diagram

TL/D/12475–1

TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.

MICROWIRE^TM, SpeechPro^TM, CompactRISC^TMand CompactSPEECH^TMare trademarks of National Semiconductor Corporation.

1996 National Semiconductor Corporation

TL/D/12475

RRD-B30M36/Printed in U. S. A.

http://www.national.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NM29A040EV	NSC	4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM	获取价格
NM29A040M	NSC	4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM	获取价格
NM29A040V	NSC	4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM	获取价格
NM29A080	NSC	4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM	获取价格
NM29A080EM	NSC	4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM	获取价格
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