5秒后页面跳转
NM28F010TR100 PDF预览

NM28F010TR100

更新时间: 2024-01-30 06:26:41
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO32, EIAJ, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32

NM28F010TR100 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1-R,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:100 ns其他特性:10K WRITE/ERASE CYCLES MIN
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:8 mm
Base Number Matches:1

NM28F010TR100 数据手册

  

与NM28F010TR100相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NM28F010TR12 ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

NM28F010TR15 ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

NM28F010V10 ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

NM28F010V100 TI 128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

获取价格

NM28F010V12 ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

NM28F010V120 TI 128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

获取价格