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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 35.725 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12.75 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.334 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27C256N150 | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
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| NM27C256N150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256N150 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256N200 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256N200 | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
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| NM27C256N200 | TI |
获取价格 |
32KX8 OTPROM, 200ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| NM27C256N200 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256NE100 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C256NE120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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