是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP8,.3 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.62 | 其他特性: | 16 BYTE PAGE WRITE; WRITE PROTECT; DATA RETENTION>40 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.4 MHz | 数据保留时间-最小值: | 40 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010DMMR |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 9.817 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX8 | |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
串行总线类型: | I2C | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NM24C08FTEM8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | |
NM24C08FTEMT8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | |
NM24C08FTLEMT8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | |
NM24C08FTLM8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 | |
NM24C08FTLMT8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | |
NM24C08FTLN | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8 | |
NM24C08FTLVM8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 | |
NM24C08FTLZM8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 | |
NM24C08FTLZMT8 | FAIRCHILD |
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EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | |
NM24C08FTLZVM8 | FAIRCHILD |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 |