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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.32 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏源导通电阻： | 300 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 3.5 pF | JEDEC-95代码： | TO-72 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3996 | SEMICOA | Silicon NPN Transistor |
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| 2N3996 | SSDI | 5 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N3996 | MICROSEMI | NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3996 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 |
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| 2N3996_1 | MICROSEMI | NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3996SMD | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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