5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 10 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NEZ6472-15D | NEC |
获取价格 |
15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NEZ6472-15D | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ6472-15DD | NEC |
获取价格 |
15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NEZ6472-15DL | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ6472-15DL | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| NEZ6472-4B | NEC |
获取价格 |
C-BAND POWER GAAS MESFET |
|
| NEZ6472-4BD | NEC |
获取价格 |
C-BAND POWER GAAS MESFET |
|
| NEZ6472-4D | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NEZ6472-4D | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ6472-4DD | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
