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NEZ6472-15D PDF预览

NEZ6472-15D

更新时间： 2024-01-11 22:16:09
品牌 Logo 应用领域
CEL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 58K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN

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NEZ6472-15D 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：18 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NEZ6472-15D 数据手册

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NEZ6472-15D  
NEZ6472-15DL  
NEZ6472-8D  
NEZ6472-8DL  
NEZ6472-4D  
NEZ6472-4DL  
C-BAND INTERNALLY  
MATCHED POWER GaAs MESFET  
FEATURES  
OUTPUT POWER AND EFFICIENCY  
vs. INPUT POWER  
•
•
•
•
HIGH POUT  
18W (42.5 dBm) Typ P1dB for NEZ6472-15D/15DL  
100%  
45  
40  
-15D  
-8D  
-4D  
9W (39.5 dBm) Typ P1dB for NEZ6472-8D/8DL  
4.5W (36.5 dbm) Typ P1dB for NEZ6472-4D/4DL  
80%  
60%  
40%  
HIGH EFFICIENCY  
P
OUT  
35% ηADD for 4.5W Device  
33% ηADD for 9W Device  
32% ηADD for 18W Device  
35  
30  
Efficiency  
LOW IMD  
-45 dBc IM3 @ 31.5 dBm POUT (SCL) -15DL  
-45 dBc IM3 @ 29 dBm POUT (SCL) -8DL  
-45 dBc IM3 @ 26 dBm POUT (SCL) -4DL  
20%  
0%  
25  
20  
SiO2 PASSIVATED CHIP  
For Power/Gain Stability Under RF Overdrive  
CLASS A OPERATION  
12  
17  
22  
27  
32  
37  
•
•
•
•
INTERNALLY MATCHED (IN/OUT)  
Input Power, PIN (dBm)  
SUPERIOR GAIN FLATNESS  
INDUSTRY COMPATIBLE HERMETIC PACKAGES  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)  
PART NUMBER  
NEZ6472-4D  
NEZ6472-4DL  
T-61  
NEZ6472-8D  
NEZ6472-8DL  
T-61  
NEZ6472-15D  
NEZ6472-15DL  
T-65  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX TEST CONDITIONS  
1
P1dB  
Output Power at PIdB  
IDSQ = 0.8A, (RF Off)  
IDSQ = 1.6A  
dBm 35.5 36.5  
dBm  
dBm  
VDS = 10V  
f = 6.4  
to 7.2 GHz  
38.5 39.5  
IDSQ = 4.0A  
41.5 42.5  
32  
ηADD  
IDS  
GL  
IM3  
-XDL  
Option  
Only  
IDSS  
VP  
Power Added Efficiency @ P1dB  
%
A
35  
1.1  
33  
Zs = ZL  
Drain Current at P1dB  
Linear Gain  
3rd Order Intermodulation Distortion3 at  
Pout = 26 dBm SCL2, IDSQ = 0.5 x IDSS  
Pout = 29 dBm SCL2, IDSQ = 0.5 x IDSS  
1.5  
-42  
2.2  
3.0  
4.4 6.0  
8.0  
50 ohms  
dB  
8.0 9.0  
7.5  
8.5  
7.0  
VDS = I0V  
dBc  
dBc  
-45  
f1 = 7.19 GHz  
f2 = 7.20 GHZ  
2 Equal Tones  
-45  
4.5  
-42  
7.0  
Pout = 31.5 dBm SCL2, IDSQ = 0.5 x IDSS dBc  
-45 -42  
9.2 14.0  
Saturated Drain Current, VGS = 0 V  
Pinch Off Voltage  
IDS = 15 mA  
A
1.0 2.3  
3.5 2.0  
4.0  
V
V
V
-3.5 -2.0 -0.5  
VDS = 2.5 V  
IDS = 30 mA  
IDS = 60 mA  
-3.5 -2.0 -0.5  
-3.5 -2.2 -0.5  
BVDGO  
gm  
Drain - Gate Breakdown Voltage  
IDG = 15 mA  
IDG = 30 mA  
IDG = 60 mA  
Transconductance  
IDS = I A  
V
V
V
20  
22  
20  
22  
20  
22  
mS  
mS  
mS  
1300  
5.0  
IDS = 2 A  
IDS = 4 A  
2600  
2.5  
5200  
1.3 1.5  
RTH(CH-C) Thermal Resistance (Channel to Case) °C/W  
Channel Temperature Rise4  
°C  
6.0  
48  
3.0  
48  
∆T(CH-C)  
60  
Notes:  
3. Maximum Spec Applies to -XDL Option Only.  
4. ∆T(CH-C) = TCH - TC = 10 V x IDSQ x RTH (CH-C) MAX.  
1. P1dB: Ouptut Power at the 1dB Gain Compression Point.  
2. SCL: Single Carrier Level.  
California Eastern Laboratories  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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