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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NEZ6472-8B | NEC |
获取价格 |
C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZ6472-8BD | NEC |
获取价格 |
C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZ6472-8D | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NEZ6472-8D | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ6472-8DD | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NEZ6472-8DL | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ6472-8DL | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7177-15B | NEC |
获取价格 |
C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZ7177-15BD | NEC |
获取价格 |
C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZ7177-4B | NEC |
获取价格 |
C-BAND POWER GAAS MESFET |
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