NEZ6472-15D

更新时间： 2024-01-03 04:01:11

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描述
15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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NEZ6472-15D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	10 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NEZ6472-15D 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

GaAs MES FET

15 W C-BAND POWER GaAs FET NEZ SERIES

15 W C-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS (unit: mm)

The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer

high output power, high gain and high efficiency at C-band

for microwave and satellite communications.

Internal input and output circuits matched to 50 Ω are

designed to provide good flatness of gain and output

power in allocated band.

0.5 ±0.1

SOURCE

C1.0 4PLACES

R1.2 4PLACES

GATE

To reduce the thermal resistance, the device has a

PHS (Plated Heat Sink) structure.

NEC’s strigent quality assurance and test procedures

guarantee the highest reliability and performance.

DRAIN

20.4 ±0.2

SELECTION CHART

20.4 ±0.3

NEZ PART NUMBER

NEZ3642-15D, 15DD

NEZ4450-15D, 15DD

NEZ5964-15D, 15DD

NEZ6472-15D, 15DD

NEZ7785-15D

FREQUENCY BAND (GHz)

3.6 to 4.2

16.0

4.4 to 5.0

5.9 to 6.45

6.4 to 7.2

16.0

7.7 to 8.5

FEATURES

•

Internally matched to 50 Ω

High power output

High linear gain

High reliability

Low distortion

Document No. P10982EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7...12

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