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2SK1133

更新时间: 2024-02-09 00:17:50
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日电电子 - NEC 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 366K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

2SK1133 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
Base Number Matches:1

2SK1133 数据手册

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