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NE6006

更新时间: 2024-11-14 20:52:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,

NE6006 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.69其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.095 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-258AAJESD-30 代码:R-MSFM-P3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NE6006 数据手册

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