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NE25339-T1

更新时间： 2024-02-06 21:56:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		栅
页数	文件大小	规格书
6页	51K
描述
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET

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NE25339-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	0.08 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.035 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE25339-T1 数据手册

NE25339

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹(TA = 25°C)

SYMBOLS

VDSX

VG1S

VG2S

PARAMETERS

UNITS

RATINGS

Drain to Source Voltage

Gate 1 to Source Voltage

Gate 2 to Source Voltage

Drain Current

-4.5

°C

TCH

Channel Temperature

125

TSTG

Storage Temperature

°C

-55 to +125

200

Total Power Dissipation

Note:

1. Operation in excess of any one of these parameters may result

in permanent damage.

TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

DRAIN CURRENT vs.

GATE 1 TO SOURCE VOLTAGE

100

250

DS = 5 V

FREE

AIR

G2S = 1 V

200

150

0.5 V

0 V

100

-0.5 V

-1.0 V

1.8

-1.2

-0.6

+0.6

+1.2

100

125

Ambient Temperature, TA (°C)

Gate 1 to Source Voltage, VG1S (V)

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

GATE 1 TO SOURCE VOLTAGE

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DS = 5 V

f = 1 kHz

f = 1kHz

= 1 V

GS2

VG2S = 1 V

0.5 V

0 V

-0.5 V

-1.8

100

-1.2

-0.6

+0.6

+1.2

Drain Current, ID (mA)

Gate 1 to Source Voltage, VG1S (V)

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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