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NDU506B

更新时间: 2024-01-20 15:58:48
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德州仪器 - TI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 131K
描述
18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251

NDU506B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):18 A最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:72 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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