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Datasheet > 电源电路 > 线性稳压器IC> NCP583XV30T2G
NCP583XV30T2G PDF预览

NCP583XV30T2G

更新时间： 2024-02-15 17:09:26
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 线性稳压器IC调节器电源电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
10页 72K
描述
Ultra−Low Iq 150 mA CMOS LDO Regulator with Enable

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NCP583XV30T2G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT包装说明：VSOF, FL6,.047,20
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.67
Is Samacsys：N可调性：FIXED
最大回动电压 1：0.4 V标称回动电压 1：0.25 V
最大绝对输入电压：6.5 V最大输入电压：6 V
最小输入电压：3.5 VJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2长度：1.6 mm
最大电网调整率：0.015%最大负载调整率：0.04%
湿度敏感等级：1功能数量：1
输出次数：1端子数量：6
工作温度TJ-Max：125 °C工作温度TJ-Min：-40 °C
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流 1：0.15 A最大输出电压 1：3.06 V
最小输出电压 1：2.94 V标称输出电压 1：3 V
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSOF
封装等效代码：FL6,.047,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
调节器类型：FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR座面最大高度：0.6 mm
子类别：Other Regulators表面贴装：YES
技术：CMOS端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：FLAT端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：2%宽度：1.2 mm
Base Number Matches：1

NCP583XV30T2G 数据手册

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NCP583  
Ultra−Low Iq 150 mA CMOS  
LDO Regulator with Enable  
The NCP583 series of low dropout regulators are designed for  
portable battery powered applications which require precise output  
voltage accuracy and low quiescent current. These devices feature an  
enable function which lowers current consumption significantly and  
are offered in two small packages; SC−82AB and the SOT−563.  
A 1.0 mF ceramic capacitor is the recommended value to be used  
with these devices on the output pin.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
Features  
SC−82AB  
SQ SUFFIX  
CASE 419C  
• Ultra−Low Dropout Voltage of 250 mV at 150 mA  
• Excellent Line Regulation of 0.05%/V  
• Excellent Load Regulation of 20 mV  
• High Output Voltage Accuracy of "2%  
• Ultra−Low Iq Current of 1.0 mA  
xxx M G  
4
G
1
1
• Very Low Shutdown Current of 0.1 mA  
• Wide Output Voltage Range of 1.5 V to 3.3 V  
SOT−563  
XV SUFFIX  
CASE 463A  
xxx M G  
6
G
• Low Temperature Drift Coefficient on the Output Voltage of  
1
1
"100 ppm/°C  
• Fold Back Protection Circuit  
• Input Voltage up to 6.5 V  
xxx = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
• These are Pb−Free Devices  
Typical Applications  
*Date Code orientation and/or position may  
vary depending upon manufacturing location.  
• Portable Equipment  
• Hand−Held Instrumentation  
• Camcorders and Cameras  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 8 of this data sheet.  
V
in  
V
out  
−
+
V
ref  
Current Limit  
CE  
GND  
Figure 1. Simplified Block Diagram  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 5  
NCP583/D  
1234567...10

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NCP583XV30T2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NCP582DXV30T2G ONSEMI

类似代替

 Ultra-Fast, Low Noise 150 mA CMOS LDO
NCP582LXV30T2G ONSEMI

类似代替

 Ultra-Fast, Low Noise 150 mA CMOS LDO
BH30NB1WHFV-TR ROHM

功能相似

 High-ripple rejection CMOS LDO Regulators for High-frequency Circuits

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCP583XV31T2G ONSEMI

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 		暂无描述
NCP584HSN09T1G ONSEMI

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