5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | VSOF, FL6,.047,20 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 6.1 |
| 可调性： | FIXED | 最大回动电压 1： | 0.4 V |
| 标称回动电压 1： | 0.25 V | 最大绝对输入电压： | 6.5 V |
| 最大输入电压： | 6 V | 最小输入电压： | 3.8 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e2 |
| 长度： | 1.6 mm | 最大电网调整率： | 0.01452% |
| 最大负载调整率： | 0.04% | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 输出次数： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作温度TJ-Max： | 125 °C |
| 工作温度TJ-Min： | -40 °C | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流 1： | 0.15 A |
| 最大输出电压 1： | 3.366 V | 最小输出电压 1： | 3.234 V |
| 标称输出电压 1： | 3.3 V | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VSOF | 封装等效代码： | FL6,.047,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 包装方法： | TR | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 调节器类型： | FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR |
| 座面最大高度： | 0.6 mm | 子类别： | Other Regulators |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 2% |
| 宽度： | 1.2 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NCP582DXV33T2G | ONSEMI |
类似代替  |
Ultra-Fast, Low Noise 150 mA CMOS LDO |
|
| NCP582LXV33T2G | ONSEMI |
类似代替 |
Ultra-Fast, Low Noise 150 mA CMOS LDO |
|
| BH33PB1WHFV-TR | ROHM |
功能相似 |
1ch 150mA CMOS LDO Regulators |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NCP584 | ONSEMI |
获取价格 |
Tri-Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
| NCP584HSN09T1 | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| NCP584HSN09T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Tri−Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
| NCP584HSN12T1 | ONSEMI |
获取价格 |
1.2V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.5V DROPOUT, PDSO5, SOT-23, 5 PIN |
|
| NCP584HSN12T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Tri−Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
| NCP584HSN15T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Tri−Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
| NCP584HSN18T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Tri−Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
| NCP584HSN25T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Tri-Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
| NCP584HSN26T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Tri−Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
| NCP584HSN28T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Tri-Mode 200 mA CMOS LDO Regulator with Enable |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
