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| 生命周期： | Active | 包装说明： | VBCC, |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 34 weeks |
| 风险等级： | 5.76 | 高边驱动器： | YES |
| 输入特性： | STANDARD | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N41 | 长度： | 6 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 41 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 标称输出峰值电流： | 80 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | VBCC | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE | 座面最大高度： | 0.85 mm |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 电源电压1-最大： | 20 V |
| 电源电压1-分钟： | 4.5 V | 电源电压1-Nom： | 19 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 断开时间： | 0.03 µs | 接通时间： | 0.02 µs |
| 宽度： | 5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NCP303151AMNTWG | ONSEMI |
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Integrated Driver and MOSFET with IntegratedCurrent Monitor |
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| NCP303152MNTWG | ONSEMI |
获取价格 |
Integrated Driver and MOSFET with IntegratedCurrent Monitor |
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| NCP303160MNTWG | ONSEMI |
获取价格 |
Integrated Driver and MOSFET with Integrated Current Monitor, 60A |
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| NCP303LSN09T1 | ONSEMI |
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Voltage Detector Series with Programmable Delay |
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| NCP303LSN09T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Voltage Detector Series with Programmable Delay |
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| NCP303LSN09T2G | ONSEMI |
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电压检测器系列，带有可编程延迟和开路漏极 N 沟道输出 |
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| NCP303LSN10T1 | ONSEMI |
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Voltage Detector Series with Programmable Delay |
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| NCP303LSN10T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Voltage Detector Series with Programmable Delay |
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| NCP303LSN11T1 | ONSEMI |
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Voltage Detector Series with Programmable Delay |
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| NCP303LSN11T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Voltage Detector Series with Programmable Delay |
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