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NCEP10N85AG

更新时间： 2024-04-09 18:59:52

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	329K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP10N85AG 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEP10N85AG

Typical Electrical and Thermal Characteristics

V_GS=10V

I_D=29A

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 1 Output Characteristics

Figure 4 Rdson-Junction Temperature

V_DS=5V

V_DS=40V

I_D=29A

Vgs Gate-Source Voltage (V)

Qg Gate Charge (nC)

Figure 2 Transfer Characteristics

Figure 5 Gate Charge

V_GS=4.5V

150°C

25°C

V_GS=10V

I_D- Drain Current (A)

Vsd Source-Drain Voltage (V)

Figure 3 Rdson- Drain Current

Figure 6 Source- Drain Diode Forward

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page3

V1.0

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