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NCEP1505S

更新时间: 2024-11-21 17:02:07
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新洁能 - NCEPOWER /
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7页 347K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP1505S  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP1505S uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
VDS =150V,ID =5.1A  
RDS(ON) < 65m@ VGS=10V ( Typ: 55m)  
Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
150 °C operating temperature  
Marking and pin assignment  
Application  
DC/DC converters and Off-Line UPS  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Hard switched and high frequency circuits  
Uninterruptible power supply  
100% Vds TESTED!  
SOP-8 top view  
Tape width  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Quantity  
4000 units  
NCEP1505S  
NCEP1505S  
SOP-8  
Ø330mm  
12mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
150  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
5.1  
A
ID  
ID (100)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current(Note 1)  
3.6  
A
20  
A
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
EAS  
60  
mJ  
W
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
5
3
Maximum Power Dissipation  
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient(Note 2)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case(Note 2)  
RθJA  
RθJC  
41.7  
25  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  

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