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NCEP055N12

更新时间: 2024-04-09 18:59:45
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新洁能 - NCEPOWER 栅极
页数 文件大小 规格书
8页 358K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻(RDS(on))与超低栅极电荷(Qg)的特点,结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

NCEP055N12 数据手册

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NCEP055N12,NCEP055N12D  
Typical Electrical and Thermal Characteristics  
VGS=10V  
ID=60A  
Vds Drain-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature()  
Figure 1 Output Characteristics  
Figure 4 Rdson-Junction Temperature  
VDS=5V  
VDS=60V  
ID=60A  
Vgs Gate-Source Voltage (V)  
Qg Gate Charge (nC)  
Figure 2 Transfer Characteristics  
Figure 5 Gate Charge  
VGS=10V  
175°C  
25°C  
ID- Drain Current (A)  
Vsd Source-Drain Voltage (V)  
Figure 3 Rdson- Drain Current  
Figure 6 Source- Drain Diode Forward  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page3  
V2.0  
http://www.ncepower.com  

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