Datasheet > NCEP045N85G

NCEP045N85G

更新时间： 2024-04-09 19:00:10

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		栅
页数	文件大小	规格书
6页	706K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCEP045N85G 数据手册

NCEP045N85G

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_C-Case Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 Power De-rating

Vds Drain-Source Voltage (V) ^(Note3)

T_C-Case Temperature (℃)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 Current De-rating

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page4

V1.0

http://www.ncepower.com

1 2 345 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCEP045N85GU	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP048N72	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP048N85	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP048N85D	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP048N85M	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP048N85MD	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格