型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCE8 | CIT |
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CIT SWITCH | |
NCE8098 | NCEPOWER |
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NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
NCE80H12 | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |
NCE80H12D | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |
NCE80T320 | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
NCE80T320D | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
NCE80T420F | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
NCE80T560 | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
NCE80T560F | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
NCE80TC65BT | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje |