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NCE75TD120WW

更新时间： 2024-04-09 19:00:35

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新洁能 - NCEPOWER		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1549K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

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NCE75TD120WW 数据手册

Pb Free Product

NCE75TD120WW

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 1 Output Characteristics

Figure 2 Transfer Characteristics

V_CE=20V

V_GE=17V

15V

13V

11V

25°C

150°C

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

V_GE, Gate-Emitter Voltage (V)

Figure 3 V_CE(sat)vs. Case Temperature

Figure 4 Saturation Voltage vs. V_GE

V_GE=15V

I_C=150A

150

I_C=75A

37.5A

75A

I_C=37.5A

T_J, Junction Temperature (°C)

V_GE, Gate-Emitter Voltage (V)

Figure 5 Capacitance Characteristics

Figure 6 Gate Charge Wave Form

C_ies

V_CC=960V

C_oes

C_res

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

Q_G, Total Gate Charge (nC)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

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