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NCE40TD60BT

更新时间： 2024-04-09 19:00:23
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 2012K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

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Pb Free Product  
NCE40TD60BT  
Thermal Characteristic  
Symbol  
Parameter  
Value  
0.52  
0.99  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to case for IGBT  
Thermal Resistance, Junction to case for Diode  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Electrical Characteristics (TC=25°C unless otherwise noted)  
Value  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
Max.  
Static Characteristics  
V(BR)CES  
ICES  
IGES(F)  
IGES(R)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Leakage Current  
Gate to Emitter Forward Leakage  
Gate to Emitter Reverse Leakage  
VGE=0V,ICE=1mA  
VGE =0V,VCE=600V  
VGE=+30V,VCE=0V  
VGE=-30V,VCE =0V  
600  
--  
--  
--  
--  
V
uA  
nA  
nA  
V
40  
--  
--  
200  
200  
1.9  
--  
--  
--  
Tj=25°C  
--  
1.7  
1.9  
5.0  
IC=40A  
VCE(sat)  
VGE(th)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Gate Threshold Voltage  
VGE=15V Tj=175°C  
--  
V
IC=1mA,VCE=VGE  
4.0  
6.0  
V
Dynamic Characteristics  
Cies  
Coes  
Cres  
Qg  
Input Capacitance  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
4894  
136  
94  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
VCE=25V,VGE=0V,  
f=1MHz  
Output Capacitance  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
176  
38  
VCC=480V, IC=40A,  
VGE=15V  
Qge  
Qgc  
Gate to Emitter Charge  
Gate to Collector Charge  
nC  
A
73  
Short circuit collector current Max.1000  
short circuits Time between short circuits:  
≥1.0s  
VGE=15V,VCC≤400V,  
SC≤5us,Tj≤150°C  
IC(SC)  
--  
235  
--  
t
Switching Characteristics  
td(ON) Turn-on Delay Time  
tr  
td(OFF)  
tf  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
19  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
Rise Time  
17  
ns  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
168  
16  
VCC=400V,IC=40A,  
VGE=0/15V, Rg=5Ω,  
Inductive Load  
Eon  
Eoff  
Ets  
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Total Switching Loss  
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Total Switching Loss  
0.58  
0.48  
1.06  
0.70  
0.65  
1.35  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Ets  
VCC=400V,IC=40A,  
VGE=0/15V,Rg=5Ω,  
Tj=175°C  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V2.2  
2
http://www.ncepower.com  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE40TD65B NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE40TD65BP NCEPOWER

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