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NAND512W4A2CN6F

更新时间： 2024-02-24 07:03:42
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
51页 1272K
描述
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

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NAND512W4A2CN6F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.09
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND512W4A2CN6F 数据手册

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NAND512R3A2C NAND512R4A2C  
NAND512W3A2C NAND512W4A2C  
512 Mbit, 528 byte/264 word page,  
1.8 V/3 V, NAND Flash memories  
Features  
●
High density NAND Flash memories  
–
–
512 Mbit memory array  
Cost effective solutions for mass  
storage applications  
●
NAND interface  
–
–
x 8 or x 16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
TSOP48 12 x 20 mm  
●
●
Supply voltage: 1.8 V, 3.0 V  
Page size  
FBGA  
–
–
x 8 device: (512 + 16 spare) bytes  
x 16 device: (256 + 8 spare) words  
VFBGA55 8 x 10 x 1 mm  
VFBGA63 9 x 11 x 1 mm  
●
●
Block size  
–
–
x 8 device: (16 K + 512 spare) bytes  
x 16 device: (8 K + 256 spare) words  
●
●
Hardware Data Protection  
Page Read/Program  
–
Program/Erase locked during Power  
transitions  
–
–
–
Random access:  
12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)  
Data integrity  
Sequential access:  
30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)  
–
100,000 Program/Erase cycles (with  
ECC)  
Page Program time: 200 µs (typ)  
–
10 years Data Retention  
®
●
●
●
●
●
●
Copy Back Program mode  
Fast Block Erase: 2 ms (typ)  
Status Register  
●
●
ECOPACK packages  
Development tools  
–
–
Error Correction Code models  
Electronic signature  
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
Chip Enable ‘don’t care’  
Serial Number option  
–
Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
Reference  
Part number  
NAND512R3A2C  
NAND512R4A2C(1)  
NAND512W3A2C  
NAND512W4A2C(1)  
NAND512-A2C  
1. x16 organization only available for MCP.  
January 2008  
Rev 2  
1/51  
www.numonyx.com  
1
1234567...51

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与NAND512W4A2CN6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND512W4A2CN6T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND512W4A2CV1 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND512W4A2CV1E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND512W4A2CV1F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND512W4A2CV6T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND512W4A2CZA1 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash

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