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NAND512W4A2DZA6E

更新时间： 2024-01-04 10:33:16
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX /
页数 文件大小 规格书
53页 1334K
描述
Flash, 32MX16, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

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NAND512W4A2DZA6E 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
针数：63Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.1Is Samacsys：N
最长访问时间：12000 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B63
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：63字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

NAND512W4A2DZA6E 数据手册

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NAND512xxA2D  
NAND01GxxA2C  
512-Mbit, 1-Gbit, 528-byte/264-word page,  
1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories  
Features  
●
High density SLC NAND flash memories  
–
–
512-Mbit, 1-Gbit memory array  
Cost effective solutions for mass  
storage applications  
●
NAND interface  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed address/ data  
FBGA  
●
●
Supply voltage: 1.8 V, 3 V  
Page size  
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm (ZA)  
–
–
x8 device: (512 + 16 spare) bytes  
x16 device: (256 + 8 spare) words  
●
●
Block size  
●
●
Hardware data protection: program/erase  
locked during power transitions  
–
–
x8 device: (16 K + 512 spare) bytes  
x16 device: (8 K + 256 spare) words  
Security features  
Page read/program  
–
–
OTP area  
–
–
–
Random access:  
12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)  
Serial number (unique ID)  
●
Data integrity  
Sequential access:  
30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)  
–
100,000 program/erase cycles (with  
ECC)  
Page program time: 200 µs (typ)  
–
10 years data retention  
●
●
●
●
●
Copy back program mode  
Fast block erase: 1.5 ms (typ)  
Status register  
●
●
RoHS compliant packages  
Development tools  
–
–
Error correction code models  
Electronic signature  
Bad blocks management and wear  
leveling algorithms  
Chip Enable ‘don’t care’  
–
Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
NAND512xxA2D  
NAND01GxxA2C  
NAND512R3A2D  
NAND512R4A2D  
NAND512W3A2D  
NAND512W4A2D  
NAND01GR3A2C  
NAND01GR4A2C  
NAND01GW3A2C  
NAND01GW4A2C  
November 2009  
Rev 7  
1/53  
www.numonyx.com  
1
1234567...53

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与NAND512W4A2DZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND512W4A2DZD6E NUMONYX

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 		Flash Memory
NAND512W4A3AN1 STMICROELECTRONICS

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 		32MX16 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND512W4A3AN1F STMICROELECTRONICS

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 		32MX16 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
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 		Flash, 32MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND512W4A3AV6 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, PLASTIC, WSOP-48
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 		32MX16 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48
NAND512W4A3AV6F STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48
NAND512W4A3AV6T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, PLASTIC, WSOP-48
NAND512W4A3AZA1F STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA
NAND512W4A3BN1 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 32MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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