5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NAND01GW3B2AN6E
NAND01GW3B2AN6E PDF预览

NAND01GW3B2AN6E

更新时间： 2024-02-26 04:35:56
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 1272K
描述
128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

阅读下载

获取价格

NAND01GW3B2AN6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.22最长访问时间：25000 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3/e6
长度：18.4 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1K
端子数量：48字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：2K words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN/TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND01GW3B2AN6E 数据手册

 浏览型号NAND01GW3B2AN6E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NAND01GW3B2AN6E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NAND01GW3B2AN6E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NAND01GW3B2AN6E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号NAND01GW3B2AN6E的Datasheet PDF文件第10页浏览型号NAND01GW3B2AN6E的Datasheet PDF文件第11页 
Description  
Table 2.  
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C  
Product description  
Timings  
Bus Page Block Memory Operating  
Random Sequential  
Page  
Progra  
m time erase  
Bloc  
k
Reference  
Part number  
Density  
Package  
width size  
size  
array  
voltage  
access  
time  
access  
time  
(max)  
(min)  
(typ)  
(typ)  
1.7 to  
1.95 V  
VFBGA63  
9 x 11 mm  
NAND01GR3B2B  
NAND01GW3B2B  
NAND01GR4B2B  
NAND01GW4B2B  
25 µs  
25 µs  
25 µs  
25 µs  
50 ns  
30 ns  
50 ns  
30 ns  
2048 128K  
+64 +4K  
bytes bytes  
x8  
2.7 to  
3.6 V  
64  
pages x  
1024  
TSOP48  
(1)  
NAND01G  
-B2B  
1Gbit  
2 ms  
1.7 to  
1.95 V  
blocks  
1024 64K+  
x16  
+32  
2K  
2.7 to  
3.6 V  
words words  
(1)  
200 µs  
VFBGA63  
9.5 x 12 m  
m
1.7 to  
1.95 V  
NAND02GR3B2C  
25 µs  
50 ns  
2048 128K  
x8  
+64  
+4K  
bytes bytes  
64  
pages x  
2048  
2.7 to  
3.6 V  
NAND02GW3B2C  
NAND02GR4B2C  
NAND02GW4B2C  
25 µs  
25 µs  
25 µs  
30 ns  
50 ns  
30 ns  
TSOP48  
(1)  
NAND02G  
-B2C  
2Gbits  
2 ms  
1.7 to  
1.95 V  
blocks  
1024 64K+  
x16  
+32  
2K  
2.7 to  
3.6 V  
words words  
(1)  
1. x16 organization only available for MCP.  
Figure 1.  
Logic block diagram  
Address  
register/counter  
AL  
NAND flash  
CL  
W
memory array  
P/E/R controller,  
high voltage  
generator  
Command  
interface  
logic  
E
WP  
R
Page buffer  
Cache register  
Y decoder  
Command register  
I/O buffers & latches  
RB  
I/O0-I/O7, x8/x16  
I/O8-I/O15, x16  
AI12799  
8/60  
1...567891011...60

下载PDF

与NAND01GW3B2AN6E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NAND01GW3B2AN6F STMICROELECTRONICS 128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

获取价格
NAND01GW3B2AN6F NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

获取价格
NAND01GW3B2AN6T STMICROELECTRONICS 暂无描述

获取价格
NAND01GW3B2AV1 NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48

获取价格
NAND01GW3B2AV1E NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-

获取价格
NAND01GW3B2AV1F NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-

获取价格

与NAND01GW3B2AN6E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证