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N82S16N-B

更新时间: 2024-02-05 23:19:31
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 203K
描述
Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, PDIP16

N82S16N-B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:50 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.115 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

N82S16N-B 数据手册

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