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N82S181AN

更新时间: 2024-02-20 20:44:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 78K
描述
IC 1K X 8 OTPROM, 55 ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24, Programmable ROM

N82S181AN 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.6针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.82
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:24
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:1KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.175 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

N82S181AN 数据手册

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