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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 1000 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 最大漏电流： | 100 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 29600 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 3030000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 2826 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 100000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N600CH10KOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2826A I(T)RMS, 3030000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
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| N600CH10LOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2826A I(T)RMS, 3030000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 |
|
| N600CH12JOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2826A I(T)RMS, 3030000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
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| N600CH12LOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2826A I(T)RMS, 3030000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
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| N600DH02KOO | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 3030000mA I(T), 200V V(DRM), |
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| N600DH06JOO | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3030000mA I(T), 600V V(DRM), |
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| N600DH10LOO | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3030000mA I(T), 1000V V(DRM), |
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| N600DH12KOO | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3030000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| N600DH12LOO | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3030000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| N600DH14 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3030000mA I(T), 1400V V(DRM), |
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