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N2180N1EB1S

更新时间: 2024-11-05 10:30:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

N2180N1EB1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.49应用:GENERAL PURPOSE
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-XXMA-X
JESD-609代码:e0相数:1
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

N2180N1EB1S 数据手册

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