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N2180D1EN1S

更新时间: 2024-11-05 10:30:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管电压倍频二极管
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

N2180D1EN1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5Is Samacsys:N
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VOLTAGE MULTIPLIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-XJESD-609代码:e0
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

N2180D1EN1S 数据手册

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