5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-XXMA-X |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 应用： | POWER |
| 配置： | COMPLEX | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-XXMA-X |
| 相数： | 3 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N21100Q1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| N21100Q1TBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| N21100Q1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| N21100V1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| N21100V1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| N21100V1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| N21100V1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| N21100V1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| N21100W1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| N21100W1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
